原子层沉积系统
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收费标准
机时0元/小时 -
设备型号
Picosun Oy -
当前状态
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管理员
黄奕泰,梁宗存 15918886986 -
放置地点
南校区中山大学
- 仪器信息
- 预约资源
- 附件下载
- 公告
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名称
原子层沉积系统
资产编号
2021093751
型号
Picosun Oy
规格
含1个反应腔RC-200，液体源脉冲系统两套，加热源脉冲系统1套，气体源脉冲系统两套，E2M80油泵
产地
芬兰
厂家
Picosun Oy
所属品牌
Picosun R200 Std
出产日期
购买日期
2021-10-27
所属单位
物理学院
使用性质
科研
所属分类
GZYQ24,XSB24,GZYQ22,22FB,CHONGFA
资产负责人
梁宗存
联系电话
15918886986
联系邮箱
wangwx36@mail2.sysu.edu.cn
放置地点
南校区中山大学
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 样本检测注意事项
- 设备使用相关说明
- 备注
主要规格&技术指标
主机参数：
1、*设备为双腔体结构，反应腔体独立安装在真空腔体内，沉积过程需能够保证真空腔体压力大于反应腔体，确保反应腔体内的化学物质不会泄露到真空腔体中；
2、反应腔真空度抽速：15分钟内达到100 Pa以下的沉积真空。
3、可同时加热衬底与反应腔体壁，最高加热温度500℃，配置温度传感器同时监测反应腔体及衬底温度，通过软件设定并控制加热的温度范围和浮动精度，反应腔体内温度应均匀一致，温度控制精度满足±1℃以内；衬底尺寸和类型
• 50-200 mm/片
• 156 mm x 156 mm太阳能硅片
• 3D 复杂表面衬底
• 粉末与颗粒
• 小批量
• 多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
前驱体
• 液态，固态，气态，臭氧源
• 4根独立源管线，最多加载6个前驱体源
1、*设备为双腔体结构，反应腔体独立安装在真空腔体内，沉积过程需能够保证真空腔体压力大于反应腔体，确保反应腔体内的化学物质不会泄露到真空腔体中；
2、反应腔真空度抽速：15分钟内达到100 Pa以下的沉积真空。
3、可同时加热衬底与反应腔体壁，最高加热温度500℃，配置温度传感器同时监测反应腔体及衬底温度，通过软件设定并控制加热的温度范围和浮动精度，反应腔体内温度应均匀一致，温度控制精度满足±1℃以内；衬底尺寸和类型
• 50-200 mm/片
• 156 mm x 156 mm太阳能硅片
• 3D 复杂表面衬底
• 粉末与颗粒
• 小批量
• 多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
前驱体
• 液态，固态，气态，臭氧源
• 4根独立源管线，最多加载6个前驱体源
主要功能及特色
原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)相比传统的金属有机物化学气相沉积、分子束外延和物理气相沉积等沉积工艺具有先天的优势:它通过控制反应周期数精确地控制薄膜的厚度;生长速率不受衬底面积大小、基片内温度分布以及气流形状等的影响，可以获得均匀一致的高致密薄膜;具有完美的三维保形性，可在任意曲面，如平面、复杂三维、多孔基板和粉末上沉积高纯度薄膜;同时它还具有优异的台阶覆盖性，制备薄膜的深宽比高达2000:1，特别适合于微、纳器件、催化剂、高品质光学和光电子薄膜的制备
样本检测注意事项
原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)相比传统的金属有机物化学气相沉积、分子束外延和物理气相沉积等沉积工艺具有先天的优势:它通过控制反应周期数精确地控制薄膜的厚度;生长速率不受衬底面积大小、基片内温度分布以及气流形状等的影响，可以获得均匀一致的高致密薄膜;具有完美的三维保形性，可在任意曲面，如平面、复杂三维、多孔基板和粉末上沉积高纯度薄膜;同时它还具有优异的台阶覆盖性，制备薄膜的深宽比高达2000:1，特别适合于微、纳器件、催化剂、高品质光学和光电子薄膜的制备
设备使用相关说明
400元/小时
备注
原子层沉积薄膜制备系统所制备的薄膜具有高度均匀性、高度致密、极佳的台阶覆盖率、精确的薄膜厚度控制等优势，能为校内师生提供精确厚度的材料制备服务。
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