感应耦合等离子刻蚀机

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收费标准

机时
0元/小时

设备型号

北京北方华创微电子装备有限公司

当前状态

管理员

黄奕泰,黄臻成 020-84111012

放置地点

南校区中山大学
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名称

感应耦合等离子刻蚀机

资产编号

2019024062

型号

北京北方华创微电子装备有限公司

规格

刻蚀速率nm/min):GaN/InGaN/AlGaN:368、Sapphire:73、SiO2:1

产地

中国

厂家

北京北方华创微电子装备有限公司

所属品牌

北方华创 GSE200S

出产日期

购买日期

2019-09-19

所属单位

物理学院

使用性质

科研

所属分类

GZYQ24,GZYQ,GZYQ22,22FB,CHONGFA

资产负责人

黄臻成

联系电话

020-84111012

联系邮箱

hzhench2@mail.sysu.edu.cn

放置地点

南校区中山大学
  • 主要规格&技术指标
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  • 备注
主要规格&技术指标
侧壁角度:GaN/InGaN/AlGaN=88°,Sapphire=84°,SiO2=89.9°;刻蚀速率(nm/min):GaN/InGaN/AlGaN=368,Sapphire=73,SiO2=166;均一性(5mm去边):GaN/InGaN/AlGaN=1.5%,Sapphire=2.94%,SiO2=1.56%;重复性(3 Wafer重复测试):GaN/InGaN/AlGaN=1.48%,Sapphire=2.44%,SiO2=1.48%。
主要功能及特色
III-V族半导体的制备和加工
样本检测注意事项
暂无
设备使用相关说明
300元/样品
备注
电话或电子邮件进行咨询预约
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