线列式四室等离子体增强化学气相
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收费标准
机时0元/小时 -
设备型号
中国科学院沈阳科学仪器股份有限 -
当前状态
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管理员
欧阳红群,艾斌,丛杨 13650899150 -
放置地点
南校区中山大学
- 仪器信息
- 预约资源
- 附件下载
- 公告
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名称
线列式四室等离子体增强化学气相
资产编号
20169879
型号
中国科学院沈阳科学仪器股份有限
规格
生长室极限真空:6*10”-6Pa
产地
中国
厂家
中国科学院沈阳科学仪器股份有限
所属品牌
定制
出产日期
购买日期
2016-06-27
所属单位
材料科学与工程学院
使用性质
科研
所属分类
GZYQ24,XSB24,GZYQ,GZYQ22,22FB,CHONGFA
资产负责人
艾斌
联系电话
13650899150
联系邮箱
stsab@mail.sysu.edu.cn
放置地点
南校区中山大学
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 样本检测注意事项
- 设备使用相关说明
- 备注
主要规格&技术指标
生长室极限真空达到6.0X10-6Pa，不进行烘烤除气，生长室极限真空（不算气路负载）达到7X10-5Pa，生长室极限真空（有气路负载）达到7X10-4Pa，上下电极之间距离从10mm到60mm连续可调；三个生长室加热器温度达到660度时，基片温度达到了450度且温差为±2.2%。可在最大尺寸为156mm*156mm的样品上沉积非晶硅薄膜、微晶硅薄膜和氮化硅等钝化薄膜，薄膜的厚度均匀性小于等于±2.8%。
主要功能及特色
用于沉积p型、n型或本征非晶硅或者微晶硅薄膜；用于沉积氮化硅、氧化硅或碳化硅等钝化、减反射膜的制备。
样本检测注意事项
可在最大尺寸为156mm*156mm的样品上沉积不同掺杂类型的非晶硅薄膜、微晶硅薄膜以及氮化硅、氧化硅和碳化硅等介质膜。
设备使用相关说明
250元/小时，或者2000元/样品
备注
提前半个月申请；申请材料须包含样品尺寸、工艺条件，制样个数等信息；需先付费才能进行实验。
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